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AMB覆铜陶瓷基板

AMB是通过活性金属材料(钎焊料)在高温下进行反应,实现铜与陶瓷键合的一种工艺,相较DCB具有更高的结合强度,更好的热循环性和更大电流载流能力。覆铜面可以刻蚀出各种图形,广泛应用于电动汽车、光伏逆变,风力发电、轨道交通等大电流、高散热、高可靠性等领域。

  • 电动汽车

  • 电力交通

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推荐铜瓷组合
Ceramic Thicknesses(Unit:mm)
Copper Thicknesses(Unit:mm)



0.250.320.380.631.00
0.20
0.25
0.30
0.40-
0.50--
0.80---
Si₃N₄ AIN Standard Combinations
注:常规组合铜厚不得厚于瓷厚,阴阳铜正反铜厚差异小于0.15mm,特殊组合可询问
产品性能(陶瓷性能)
Items/TypesAlNSi3N4Unit
成分--%
密度3.33.22g/cm³
热导>170>80W/m.K
热膨胀系数4.7 (20℃~300℃)2.5 (20℃~300℃)x10^(-6)/K
抗弯强度(Σ0,M>10)>350>700MPa
介电损耗0.0005<0.0011MHz
介电常数9.08.01Mhz
介电强度>20>20KV/mm
绝缘强度>10^(14)>10^(14)Ω·cm


产品性能(尺寸与可靠性)
Items/TypesSi3N4 AMBAlN AMBTest condition
母版外形尺寸Max 138*190mm +/-1.5%-
基本公差+0.2/-0.05mm-
有效利用面积Max 127*178mm-
剥离强度>10N/mm50mm/min @0.3mm Cu-thickness
表面可焊性≥ 95% wetting- Bare Copper : SnCu3In0.5-Preform / 250℃ / With N2 and vacuum - Ni plating / Au / Ag plating :PbSn5Ag2.5-Preform / 340℃With formic gas ( 95 % N2, 5 % H2 ) and vacuum
表面粗糙度Ra≤1.5μm ; Rz≤10μm
Lower roughness on request.
JISB0601
打线性能Shearing strength≥1000gf
Aluminium Residue after shearing≥50%
Al wire 300um ; Shear speed 500um/s ; Shear height≤30um
绝缘电阻Pattern to pattern ( Min 0.7mm) >1 x 10^(9) ΩDC 1,000V, 60sec
耐压性能Front to back Leakage Current< 1.5mAAC 3,500V, 60sec
TC循环寿命>2000 cycles>60 cycles:-55℃~+150℃,hot/cold chamber system,15min at min/max. Transfer time <30s.